ARM cortexM3, LPC1768 serial communication method


#include <stdio.h>

char buf[20];
sprintf(buf, "offset = %d", var);
UartTxChar(ch);

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MOSFET의 동작영역(2), Enhancement type FET 자 , 오늘의 포스팅 주제는 증가형 MOSFET 의 동작원리의 마지막 , 포화영역 입니다 포화영역은 다룰 부분이 좀 있지만 차근차근 설명해 드리겠습니다 그럼 시작 하겠습니다 ! 위의 그래프를 보시겠습니다 . 그래프에서 점선의 오른쪽 영역이 포화영역입니다 . 포화영역 역시 도통 상태이니 게이트의 전압은 문턱전압보다 큰 값을 가지겠지요 . 이것은 드레인 전압이 채널 형성에 기여하는 게이트 전압보다 큰 경우입니다 . (Vds>Vgs-Vth 인 경우입니다 ) 이 영역에서 드레인 전류는 드레인 전압에 무관하고 게이트 전압에만 영향을 받습니다 . 포화영역에 들어서면 드레인 전류는 일정해는 것을 볼 수 있습니다 . 이 현상을 수식을 통해 접근해 보겠습니다 . Vgs = 10V, Vds =7V 라고 가정합시다 . Vgs = Vg-Vs 로 표현할 수 있으므로 Vds 역시 Vds=Vd-Vs 이겠죠 Vg-Vs=10 과 Vd-Vs=7 을 연립해서 Vs 를 소거하면 Vg-Vd=3 이라는 식이 나옵니다 . 즉 Vgd=3V 이죠 다시 정리하면 Vgs-Vds=Vgd, Vds=Vgs-Vgd 라는 식이 나옵니다 . 여기서 한가지가 생각나네요 증가형 MOSFET 의 경우 문턱전압이 있었지요 ? 문턱전압이 2V 라고 해봅시다 . Vgs 는 고정시킨 상태에서 Vds 를 높여 보면 Vgs=10V, Vds=8V 라면 Vgd=2V 입니다 . Vds 가 증가하면 Vgd 는 점점 낮아져 문턱전압에 도달하는 것을 볼 수 있습니다 . Vgd 의 전장이 감소하여 드레인 채널은 점점 좁아지는 것이죠 결국 채널이 형성된 상태에서 Vgd=Vth( 문턱전압 ) 이 되면 드레인 근처에서 채널이 없어지는 것입니다 . 따라서 드레인 전압은 더이상 드레인 전류의 변화에 영향을 주지 못하게 됩니다 . 그러므로 포화영역에서는 Vds ≥ V...
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