ARM cortexM3, LPC1768 serial communication method


#include <stdio.h>

char buf[20];
sprintf(buf, "offset = %d", var);
UartTxChar(ch);

댓글

댓글 쓰기

이 블로그의 인기 게시물

MOSFET 동작원리2

이미지
MOSFET의 동작원리(2), Enhancement type FET 오늘은 Enhancement type 인 증가형 MOSFET 에 한번 살펴볼까합니다 자 , 다들 집중하시고 ~ 그럼 증가형 MOSFET 의 동작원리를 파헤쳐 보겠습니다 . 위의 그림은 증가형 MOSFET 입니다 . NMOS 라고 할 수 있죠 증가형 MOSFET 은 기본적으로 공핍형 MOSFET 과 비슷한 구조를 가지고 있습니다 . 다만 차이점이 하나 있습니다 . 보이시나요 ? 네 , 그렇습니다 . 공핍형과 달리 초기에 채널이 형성되어 있지 않습니다 . 여기서 잠깐 ! 앞서 포스팅했던 공핍형 MOSFET 의 경우 채널이 이미 형성되어 있기 때문에 Vgs=0 인 경우 드레인 전류 Id=0 이었습니다 . 게이트에 전압 을 걸어주지 않아도 전류가 흐른다는 뜻이지요 . 그렇다면 이번 증가형 MOSFET 의 경우 공핍형과 달리 채널이 형성되어 있지 않습니다 . 그렇다면 게이트에 전압을 걸어주지 않았을 때 전류 는 어떻게 될까요 ? 네 , 맞습니다 . 전류가 흐르지 않게 되지요 . 안녕하세요 ? 최근에 너무 정신없이 바빠서 일주일이 훌쩍 ~ 할 일이 너무 많네요ᅲ 어쨌든 반도체와 아메리카노 , 이해가 쉽도록 위의 그림을 통해서 설명을 드리겠습니다 . 게이트에 (+) 전압을 걸어보도록 하겠습니다 . 그렇게 되면 P 형 substrate(P 형 substrate 은 p 형 반도체입니다 .) 의 정공은 척력에 의해 밀려나게 됩니다 . 반대로 전자들은 끌려올 것입니다 . 전자들이 지나다닐 수 있는 채널이 형성되고 있는 중이지요 . 증가형 MOSFET 은 이 채널...
자세한 내용 보기

JFET 동작원리 1

이미지
JFET의 동작원리(1) FET FET 종류중 하나인 JFET 에 대해서 알아보고 또 동작원리에 대해서 살펴보겠습니다 . 앞서 말씀 드렸듯이 FET 의 동작원리는 BJT 와 다릅니다 . JFET 은 위와 같은 모습을 하고 있습니다 . 보시면 하늘색 부분이 N 채널 이라고 적혀있습니다 . P 형 반도체도 있지만 전자 혹은 정공이 전도현상에 참여하게 되는 것은 이 하늘색 부분입니다 . 우선 D 에 (+), S 에 (-) 를 걸어 줍니다 . 그러면 N 채널일 경우 전류는 D -> S 로 흐를 것입니다 . N 채널을 통해서 말이죠 , 이 N 채널 물질은 드레인에서 소스까지의 전류 통로를 제공합니다 . 이 때 흐르는 전류는 N 채널 물질의 저항에 의해서 결정이 될 것입니다 . 게이트부분을 보시면 P 형 반도체로 되어있습니다 . 게이트에 (-) 전압을 인가해보겠습니다 . ( 그러면 게이트와 소스가 연결되어있으므로 + 극은 소스로 넣어지게 됩니다 .) 그리고 보니 이렇게 게이트에 (-), 소스에 (+) 를 걸어주니 다이오드에 PN 접합에서 역방향바이어스랑 똑같은 상황 이군요 ! 또한 드레인의 (+) 와 게이트의 (-) 역시 PN 접합에서 역방향 바이어스가 됩니다 . 네 , 맞습니다 . 이렇게 연결하면 역방향바이어스가 됩니다 . 그러면 공핍층이 커질 테지요 . Depletion Region 이 바로 공핍층입니다 . 이렇게 게이트에 전압을 점점 더 올려주게 되면 공핍층의 두께는 커지게 되어서 서로 맞붙게 됩니다 . 게이트에 (+) 전압이 아닌 (-) 전압을 걸어주어 역방향 바이어스를 만드는 이유는 바로 이 게이트 전압제어로 인한 공핍층의 변화를 주어서 JFET 의 전류를 제어하기 위함입니다 . 위 그림을 보시면 공핍층이 결국 만나게 되는데요 이 두 공핍층이 만나는 것을 핀치오프 라고 합니다 . 그때의 드 레인 전압 VD 를 핀치오프 전압 VP 라고 합니다 . 근데 이상...
자세한 내용 보기

MOSFET 동작원리 1

이미지
MOSFET의 동작원리(1), Depletion type FET 이전 포스팅에 이어서 MOSFET 의 동작원리 에 대해서 낱낱이 파헤쳐보도록 합시다 ! ᄒᄒ MOSFET 은 Depletion type 과 Enhancement type 으로 구분할 수 있습니다 각각 공핍형과 증가형으로 알고계시면 되요 위의 그림은 공핍형 MOSFET 인데요 NMOS 라는 것은 아시겠죠 ? 그렇다면 동작원리를 한번 알아보도록 합시다 드레인과 소스의 연결은 그림과 같이하며 처음 게이트에 (-) 를 인가해 보죠 ( 드레인에서 소스로 전류가 흐르기 때문에 저렇게 연결해야 됩니다 ) 자 , 그렇다면 이 게이트의 (-) 전압 때문에 P 물질의 정공들이 게이트 밑 부분으로 끌려올겁니다 강한 (-) 전압에 의한 전기장이 발생하여 인력에 의해 끌려 올라가는 거죠 그렇게 되면 게이트 밑 부분에는 정공들에 의해서 P 물질이 확장되어 N 영역과 연결되어 있는 통로를 줄어들게 만드는 겁니다 ! 그러면 드레인과 소스사이에 전류의 통로가 줄어들기 되기 때문에 결국에는 이 통로가 막혀 전류가 더 이상 흐를 수가 없게 되는 거죠 즉 , 게이트에 역전압인 (-) 전압을 걸어주게되면 전류를 차단하게 만드는 겁니다 반대로 게이트에 (+) 전압 을 인가해볼까요 ? (+) 전압이 인가되면 척력에 의해서 P 물질의 정공을 밀어내는 효과를 주죠 ( 이 효과는 처음에 게이트에 (-) 전압을 꼭 인가하지 않더라도 적용이 됩니다 ) 그렇게 되면 N 영역이 확장되어 N 영역간의 통로가 점점 커지게 됩니다 그로 인해 전자의 이동이 쉬워지므로 드레인에서 소스로의 전류 이동이 증가하게 되는거죠 그러니까 우리가 통로가 넓어지면 쉽게 이동할 수 있고 좁아지면 어렵듯이 말이죠 공핍형의 경우 Vgs=0 즉 , 게이트에 전압을 인가하지 않더라도 전류가 흐를 수 있습니다 그 이유는 보시다시피 원래부터 드레인과 소스간의 N 영역의 통로가 연결 되어 있기 때문에 드레인과 소스간의 전류가...
자세한 내용 보기