ARM cortexM3, LPC1768 serial communication method


#include <stdio.h>

char buf[20];
sprintf(buf, "offset = %d", var);
UartTxChar(ch);

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MOSFET 동작원리2

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MOSFET 동작원리 1

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MOSFET의 동작원리(1), Depletion type FET 이전 포스팅에 이어서 MOSFET 의 동작원리 에 대해서 낱낱이 파헤쳐보도록 합시다 ! ᄒᄒ MOSFET 은 Depletion type 과 Enhancement type 으로 구분할 수 있습니다 각각 공핍형과 증가형으로 알고계시면 되요 위의 그림은 공핍형 MOSFET 인데요 NMOS 라는 것은 아시겠죠 ? 그렇다면 동작원리를 한번 알아보도록 합시다 드레인과 소스의 연결은 그림과 같이하며 처음 게이트에 (-) 를 인가해 보죠 ( 드레인에서 소스로 전류가 흐르기 때문에 저렇게 연결해야 됩니다 ) 자 , 그렇다면 이 게이트의 (-) 전압 때문에 P 물질의 정공들이 게이트 밑 부분으로 끌려올겁니다 강한 (-) 전압에 의한 전기장이 발생하여 인력에 의해 끌려 올라가는 거죠 그렇게 되면 게이트 밑 부분에는 정공들에 의해서 P 물질이 확장되어 N 영역과 연결되어 있는 통로를 줄어들게 만드는 겁니다 ! 그러면 드레인과 소스사이에 전류의 통로가 줄어들기 되기 때문에 결국에는 이 통로가 막혀 전류가 더 이상 흐를 수가 없게 되는 거죠 즉 , 게이트에 역전압인 (-) 전압을 걸어주게되면 전류를 차단하게 만드는 겁니다 반대로 게이트에 (+) 전압 을 인가해볼까요 ? (+) 전압이 인가되면 척력에 의해서 P 물질의 정공을 밀어내는 효과를 주죠 ( 이 효과는 처음에 게이트에 (-) 전압을 꼭 인가하지 않더라도 적용이 됩니다 ) 그렇게 되면 N 영역이 확장되어 N 영역간의 통로가 점점 커지게 됩니다 그로 인해 전자의 이동이 쉬워지므로 드레인에서 소스로의 전류 이동이 증가하게 되는거죠 그러니까 우리가 통로가 넓어지면 쉽게 이동할 수 있고 좁아지면 어렵듯이 말이죠 공핍형의 경우 Vgs=0 즉 , 게이트에 전압을 인가하지 않더라도 전류가 흐를 수 있습니다 그 이유는 보시다시피 원래부터 드레인과 소스간의 N 영역의 통로가 연결 되어 있기 때문에 드레인과 소스간의 전류가...
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